삼성전자가 고화소 이미지센서(CIS)용 파운드리(반도체 수탁생산) 증설 투자에 나선다. 이번 투자는 기존 노후화된 D램 라인을 비메모리인 이미지센서 전용 파운드리 라인으로 추가 전환하는 것으로 1조원 이상의 시설투자가 단행될 것으로 파악됐다. 지난해 발표한 133조원 규모의 비메모리 1위 비전의 한 축으로 이미지센서 분야 투자가 본격화되는 양상이다.

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26일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 기존 경기 화성 D램 메모리 생산라인 일부를 시스템반도체인 이미지센서 라인으로 전환하는 투자를 확정하고 세부 실행계획을 마련 중이다.

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이를 위해 지난 1·4분기 말 김기남 DS(디바이스 솔루션)부문 부회장, 김현석 CE(소비자가전)부문 사장, 고동진 IM(정보기술모바일)부문 사장이 참석한 경영위원회에서 이미지센서용 파운드리 투자 계획을 확정한 것으로 확인됐다.

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삼성전자의 이번 파운드리 시설투자는 기존 화성 D램 메모리 생산라인을 시스템반도체인 이미지센서 라인으로 추가 전환하는 것이다. 삼성전자는 지난 2018년 전환 투자계획을 수립해 300㎜(12인치) 웨이퍼 기반의 D램 11라인 일부를 이미지센서 라인인 S4로 교체했다.

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이번 증설 투자는 D램 라인을 이미지센서용으로 바꾸는 2차 전환 투자인 셈이다. 업계에선 이번 전환 대상을 화성 D램 11라인으로 파악하고 있다. 반도체업계 관계자는 "삼성전자가 D램은 10나노급 고부가제품 생산에 주력하는 대신, 기존 11라인을 폭발적 성장세를 보이는 이미지센서 생산라인으로 올해 추가 전환할 것으로 알고 있다"고 전했다.

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이미지센서는 D램과 공정이 80% 정도 유사해 전환 배치가 수월한 점도 이번 투자를 결정한 배경으로 꼽힌다. 이미지센서는 D램 공정에서 사용하는 노광(리소그래피), 화학기상증착(CVD), 식각(에칭), 테스트 장비 일부는 그대로 활용할 수 있다.

신규 장비들을 도입하고 테스트와 안정화 단계를 거치면 연내 양산도 가능할 것이라는 관측이 나온다. 업계에서는 전환 투자라는 점에서 신설 투자보다 비용 절감 효과가 크지만 최소 1조원 이상이 투입될 것으로 보고 있다.

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다만, 삼성전자 관계자는 "이번 이미지센서용 파운드리 투자는 D램 11라인을 추가 전환하는 게 맞다"며 "시장 상황에 맞게 라인 효율화를 탄력적으로 진행할 계획"이라고 밝혔다.

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자료출처 : 파이낸셜뉴스

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